在AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）中，三种不同的绝缘体层SiN _x，SiON和SiO ₂被用作栅极电介质和钝化层。通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统沉积SiN _x，SiON和SiO ₂。观察到栅极漏电流，击穿电压，界面陷阱和电流崩溃存在很大差异。SiON MIS-HEMT表现出最高的击穿电压和I _on / I _off比。SiN _x MIS-HEMT在电流崩溃中表现良好，但展现出最高的栅极泄漏电流密度。SiO ₂MIS-HEMT的栅极泄漏电流密度最低，但受到金属-绝缘体-半导体（MIS）二极管的早期击穿的影响。对于界面陷阱，SiN _x MIS-HEMT具有最大的浅陷阱密度和最低的深陷阱密度。SiO ₂ MIS-HEMT具有最大的深陷阱密度。通过光致发光（PL）光谱确认了导致电流崩溃的因素。基于直流（DC）特性，SiN _x和SiON都有优点和缺点。



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