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石墨烯量子点敏化的基于ZnO-纳米棒/ GaN-Nanotowers异质结构的高性能UV光电探测器。
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-09-22 , DOI: 10.1021/acsami.0c14246 Lalit Goswami 1, 2 , Neha Aggarwal 1 , Rajni Verma 3 , Swati Bishnoi 1 , Sudhir Husale 1 , Rajeshwari Pandey 2 , Govind Gupta 1, 4
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-09-22 , DOI: 10.1021/acsami.0c14246 Lalit Goswami 1, 2 , Neha Aggarwal 1 , Rajni Verma 3 , Swati Bishnoi 1 , Sudhir Husale 1 , Rajeshwari Pandey 2 , Govind Gupta 1, 4
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已经实现了利用石墨烯量子点（GQDs）作为增感剂在ZnO-纳诺德/ GaN-纳诺特异质结构上制造高性能紫外（UV）光探测器的技术。GQD敏化对异质结紫外光电探测器的电气和光学性能显示出重大影响。GQD敏化刺激ZnO和GaN中的电荷载流子并允许能带对齐，这是通过自发的时间相关的瞬态响应实现的。所制造的器件在-6 V时具有出色的3.2×10 3 A / W的响应度，与裸露器件相比，显示出约265％的增强。此外，制造的异质结构紫外光电检测器具有1.2×10 6的极高外部量子效率％，更好的开关速度和低至约50 fW的信号检测能力。
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更新日期：2020-10-14
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