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Frustrated Lewis Pair Chelation as a Vehicle for Low Temperature Semiconductor Element and Polymer Deposition.
Angewandte Chemie International Edition ( IF 16.1 ) Pub Date : 2020-09-22 , DOI: 10.1002/anie.202012218 Alvaro A Omaña 1 , Rachel K Green 1 , Ryo Kobayashi 2 , Yingjie He 1 , Evan R Antoniuk 1 , Michael J Ferguson 1 , Yuqiao Zhou 1 , Jonathan G C Veinot 1 , Takeaki Iwamoto 2 , Alex Brown 1 , Eric Rivard 1
Angewandte Chemie International Edition ( IF 16.1 ) Pub Date : 2020-09-22 , DOI: 10.1002/anie.202012218 Alvaro A Omaña 1 , Rachel K Green 1 , Ryo Kobayashi 2 , Yingjie He 1 , Evan R Antoniuk 1 , Michael J Ferguson 1 , Yuqiao Zhou 1 , Jonathan G C Veinot 1 , Takeaki Iwamoto 2 , Alex Brown 1 , Eric Rivard 1
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The stabilization of silicon(II) and germanium(II) dihydrides by an intramolecular Frustrated Lewis Pair (FLP) ligand, PB, iPr2P(C6H4)BCy2 (Cy=cyclohexyl) is reported. The resulting hydride complexes [PB{SiH2}] and [PB{GeH2}] are indefinitely stable at room temperature, yet can deposit films of silicon and germanium, respectively, upon mild thermolysis in solution. Hallmarks of this work include: 1) the ability to recycle the FLP phosphine‐borane ligand (PB) after element deposition, and 2) the single‐source precursor [PB{SiH2}] deposits Si films at a record low temperature from solution (110 °C). The dialkylsilicon(II) adduct [PB{SiMe2}] was also prepared, and shown to release poly(dimethylsilane) [SiMe2]n upon heating. Overall, this study introduces a “closed loop” deposition strategy for semiconductors that steers materials science away from the use of harsh reagents or high temperatures.
中文翻译：
沮丧的路易斯对螯合作为低温半导体元件和聚合物沉积的载体。
据报道，通过分子内失配的路易斯对（FLP）配体PB，i Pr 2 P（C 6 H 4）BCy 2（Cy = cyclohexyl）稳定了二氢化硅（II）和锗（II）。所得的氢化物络合物[PB {SiH 2 }]和[PB {GeH 2 }]在室温下无限稳定，但是在溶液中温和地热解时，它们分别可以沉积硅和锗膜。这项工作的标志包括：1）元素沉积后能够回收FLP膦-硼烷配体（PB），以及2）单源前体[PB {SiH 2}]在创纪录的低温下从溶液（110°C）沉积Si膜。还制备了二烷基硅（II）加合物[PB {SiMe 2 }]，并显示加热时会释放出聚（二甲基硅烷）[SiMe 2 ] n。总体而言，这项研究为半导体引入了一种“闭环”沉积策略，可以使材料科学避免使用刺激性试剂或高温。
更新日期：2020-09-22
中文翻译：
沮丧的路易斯对螯合作为低温半导体元件和聚合物沉积的载体。
据报道，通过分子内失配的路易斯对（FLP）配体PB，i Pr 2 P（C 6 H 4）BCy 2（Cy = cyclohexyl）稳定了二氢化硅（II）和锗（II）。所得的氢化物络合物[PB {SiH 2 }]和[PB {GeH 2 }]在室温下无限稳定，但是在溶液中温和地热解时，它们分别可以沉积硅和锗膜。这项工作的标志包括：1）元素沉积后能够回收FLP膦-硼烷配体（PB），以及2）单源前体[PB {SiH 2}]在创纪录的低温下从溶液（110°C）沉积Si膜。还制备了二烷基硅（II）加合物[PB {SiMe 2 }]，并显示加热时会释放出聚（二甲基硅烷）[SiMe 2 ] n。总体而言，这项研究为半导体引入了一种“闭环”沉积策略，可以使材料科学避免使用刺激性试剂或高温。
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