氢倍半硅氧烷 (HSQ) 是一种用于电子束光刻和亚 5 纳米半间距图案的出色负性抗蚀剂，可以使用高对比度显影工艺实现。然而，HSQ在不同类型基板上的附着质量各不相同，从而限制了HSQ在蚀刻掩模或各种基板上的金属剥离工艺中的作用。在这项研究中，我们提出了几种化学改性方法来改善 HSQ 在 Si、Cr、Cu、Mo、Au 和氧化铟锡 (ITO) 基板上的粘附抗蚀剂。通过使用（3-巯基丙基）三甲氧基硅烷（MPTMS）和聚（二烯丙基二甲基铵）氯化物（PDDA）改性，HSQ 在 Au 基板上的粘附模式得到显着改善。(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷 (APTES) 增强了 HSQ 在 Mo 基材上的附着力。APTES 和 PDDA 提高了 HSQ 对 Si、Cr、铜和 ITO。这些基板上改进的粘合剂 HSQ 纳米图案可能有利于各种纳米光子和纳米电子器件的制造。



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