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在透明ITO / SiN x / ITO电阻随机存取存储器中发现铟丝的形成和溶解
ACS Applied Energy Materials ( IF 5.4 ) Pub Date : 2020-05-19 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsaelm.0c00193 Bowen Sun 1 , Xu Han 1 , Ruixue Xu 1 , Kai Qian 1
ACS Applied Energy Materials ( IF 5.4 ) Pub Date : 2020-05-19 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsaelm.0c00193 Bowen Sun 1 , Xu Han 1 , Ruixue Xu 1 , Kai Qian 1
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寻找体面的材料系统是在电阻式随机存取存储器（RRAM）器件中获得优异性能的最理想方法。氮化物开关材料因其出色的器件性能（例如高速和低能耗开关）而在RRAM中引起了广泛关注。但是，不清楚的开关机制（仅间接地表征）是持续进行RRAM优化的关键问题，尤其是在具有氧化铟锡（ITO）电极的透明器件中。在这里，我们演示了透明ITO / SiN x/ ITO存储器（在可见光区域的透射率约为82.4％）通常会表现出双极开关行为。通过高空间分辨率透射电子显微镜和能量色散光谱法直接发现了铟丝的形成和an灭是电阻变化的原因。有关细丝尺寸和成分的信息将为揭示透明的基于氮化物的存储器中的完整开关机制提供基础，这为高性能RRAM设计提供了巨大潜力。
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更新日期：2020-05-19
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