摘要 在本文中，基于先前发表的实验，从理论上研究了一种具有场板的新型全耗尽Ge1-xSnx n-Tunneling FET（FD Ge1-xSnx nTFET）。Ge1-xSnx 的能带结构由 EMP 计算，Ge1-xSnx 的带间隧穿 (BTBT) 参数由 Kane 模型计算。FD Ge1-xSnx nTFET 和带有场板的FD Ge1-xSnx nTFET (FD-FP Ge1-xSnx nTFET) 的电气特性具有不同的Sn 成分，并用量子限制模型进行了研究和模拟。结果表明，FD Ge1-xSnx nTFET 中的 GIDL 效应很严重。通过采用场板结构，FD-FP Ge1-xSnx nTFET 的 GIDL 效应得到抑制，并且在 Sn 成分从 0 到 0 的情况下，截止状态电流 Ioff 降低了 2 个数量级以上。06 与 FD Ge1-xSnx nTFET 相比。还研究了场板金属和通道Φfps之间的功函数差异的影响。优化后的 Φfps = 0.0 eV，通态电流 Ion = 4.6 × 10−5 A/μm，断态电流 Ioff = 1.6 × 10−13 A/μm，最大开/关比 Ion/Ioff =实现了 2.9 × 108。



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