卟啉封端的超支化聚酰亚胺的可调记忆性能,Journal of Polymer Science

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卟啉封端的超支化聚酰亚胺的可调记忆性能
Journal of Polymer Science ( IF 3.9 ) Pub Date : 2018-08-09 , DOI: 10.1002/pola.29081
Haiwei Tan ₁ , Huaxuan Yu ₁ , Hongyan Yao ₂ , Ying Song ₃ , Shiyang Zhu ₁ , Ye Tian ₁ , Huiling Liu ₄ , Shaowei Guan ₁

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在此，通过将聚酰胺酸终止于5-（4-氨基苯基）-10、15、20-三苯基卟啉（ATPP）并进行化学亚胺化反应，合成了一种功能性超支化聚酰亚胺，称为ATPP-HBPI。随后，ATPP-HBPI与Zn离子配位得到Zn-ATPP-HBPI。在HBPI中，卟啉末端充当电子供体（D），6FDA部分充当电子受体（A）以促进电子跃迁。ATPP-HBPI和Zn-ATPP-HBPI均显示出良好的有机溶解度和高热稳定性。它们被用作电活性层，以制造具有氧化铟锡（ITO）/ HBPI / Al构造的存储器件，以评估其双稳性。这些器件表现出不同的存储行为，分别为ATPP-HBPI为WORM和Zn-ATPP-HBPI为SRAM。进行了光学和电化学实验以及分子模拟，以说明这种性能转变现象。结果表明，HBPI端子的金属化为定制设备的存储特性提供了一种策略。©2018 Wiley Periodicals，Inc.J.Polym。科学，A部分：Polym。化学2018，56，1953-1961

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更新日期：2018-08-09

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