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二维C3N及其衍生物的第一性原理研究
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2020-9-10 , DOI: 10.1039/d0ra06534j Zhao Chen 1 , Haidi Wang 1 , ZhongJun Li 1
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2020-9-10 , DOI: 10.1039/d0ra06534j Zhao Chen 1 , Haidi Wang 1 , ZhongJun Li 1
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在这里，我们对新合成的C 3 N及其衍生物的电子和机械性能进行了全面的第一性原理研究。C 3 N单层被评估为间接半导体，HSE06能级带隙为1.09 eV，可以通过层数、堆叠顺序和B掺杂浓度进行有效调节。凭借强极性共价键，C 3 N 预计将成为一种优异的刚性材料，具有高面内杨氏模量 (1090.0 GPa) 和热动态稳定性（高达 2000 K）。值得注意的是，C 3 N单层具有令人着迷的弯曲泊松效应，即弯曲引起的横向收缩，这在其他二维材料中是罕见的。更重要的是，C 3 N纳米片可以卷成纳米管，其带隙可根据曲率半径进行调节。由于高稳定性、合适的带隙和优异的机械强度，二维C 3 N将成为高强度纳米电子器件应用的理想候选者。
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更新日期：2020-09-10
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