研究工作发现，在半导体材料中掺杂或形成缺陷可以提高它们在可见光区域的催化效率。因此，利用第一性原理研究系统地研究纯ZnO、N-ZnO、VZn-ZnO和VZn-N-ZnO在可见光区的电子结构和光催化性能。分析结果表明，ZnO 是直接带隙半导体，其吸收边在紫外区，而 N 掺杂、VZn 或两者都可以使 ZnO 在可见光区表现出光吸收系数，吸收VZn-N-ZnO 体系在可见光下的系数最大，这意味着 N 和 VZn 的共掺杂有利于提高 ZnO 在可见光范围内的光催化效率。根据态密度的分析，



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