摘要 纳米材料的演变在纳米级改变材料的形状和结构以实现所需的应用方面发挥了重要作用。早期的碳纳米管被认为是一种乐观的电子材料，但由于它们无法区分半导体和金属相，因此开发了准二维 (Q2D) 材料，包括石墨烯、黑磷、二维 ZnO、六方氮化硼、二维蜂窝硅、和层状过渡金属二硫属化物 (TMD)，如二硫化钼 (MoS2) 和二硫化钨 (WS2)。其中，二硫化钼 (MoS2) 被认为是一种令人信服的多用途材料，因为它在从块状到纳米级变化时表现出不同的特性。由于其直接带隙值，即（~1.9 eV），单层 MoS2 肯定能够用于后硅电子学。它在室温下表现出高开/关电流比 (108) 和约 200 cm2 (Vs)-1 的迁移率。同样基于结构，MoS2 具有两个特征 (i) 它具有六边形排列，其中 S-Mo-S 原子层共价键合 (ii) 范德华相互作用位于相邻的 MoS2 层之间，使其适用于气体传感目的。在 300 K 时，MoS2 的热导率值为 131 Wm-1 k-1。MoS2 由不同的多型体组成。MoS2 的有前途的性质和特性使其适用于各种实际应用。在这篇综述中，我们试图涵盖在二维二硫化钼材料领域最近和过去的发展。(~1.9 eV)。它在室温下表现出高开/关电流比 (108) 和约 200 cm2 (Vs)-1 的迁移率。同样基于结构，MoS2 具有两个特征 (i) 它具有六边形排列，其中 S-Mo-S 原子层共价键合 (ii) 范德华相互作用位于相邻的 MoS2 层之间，使其适用于气体传感目的。在 300 K 时，MoS2 的热导率值为 131 Wm-1 k-1。MoS2 由不同的多型体组成。MoS2 的有前途的性质和特性使其适用于各种实际应用。在这篇综述中，我们试图涵盖在二维二硫化钼材料领域最近和过去的发展。(~1.9 eV)。它在室温下表现出高开/关电流比 (108) 和约 200 cm2 (Vs)-1 的迁移率。同样基于结构，MoS2 具有两个特征 (i) 它具有六边形排列，其中 S-Mo-S 原子层共价键合 (ii) 范德华相互作用位于相邻的 MoS2 层之间，使其适用于气体传感目的。在 300 K 时，MoS2 的热导率值为 131 Wm-1 k-1。MoS2 由不同的多型体组成。MoS2 的有前途的性质和特性使其适用于各种实际应用。在这篇综述中，我们试图涵盖在二维二硫化钼材料领域最近和过去的发展。MoS2 具有两个特性 (i) 它具有六边形排列，其中 S-Mo-S 原子层共价键合 (ii) 范德华相互作用位于 MoS2 的相邻层之间，使其适用于气体传感目的。在 300 K 时，MoS2 的热导率值为 131 Wm-1 k-1。MoS2 由不同的多型体组成。MoS2 的有前途的性质和特性使其适用于各种实际应用。在这篇综述中，我们试图涵盖在二维二硫化钼材料领域最近和过去的发展。MoS2 具有两个特性 (i) 它具有六边形排列，其中 S-Mo-S 原子层共价键合 (ii) 范德华相互作用位于 MoS2 的相邻层之间，使其适用于气体传感目的。在 300 K 时，MoS2 的热导率值为 131 Wm-1 k-1。MoS2 由不同的多型体组成。MoS2 的有前途的性质和特性使其适用于各种实际应用。在这篇综述中，我们试图涵盖在二维二硫化钼材料领域最近和过去的发展。MoS2 由不同的多型体组成。MoS2 的有前途的性质和特性使其适用于各种实际应用。在这篇综述中，我们试图涵盖在二维二硫化钼材料领域最近和过去的发展。MoS2 由不同的多型体组成。MoS2 的有前途的性质和特性使其适用于各种实际应用。在这篇综述中，我们试图涵盖在二维二硫化钼材料领域最近和过去的发展。



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