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Synthesis of Semiconducting 2H-Phase WTe2 Nanosheets with Large Positive Magnetoresistance.
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-08-20 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.0c02049 Shuang Li 1 , Feng-Cai Lei 2 , Xu Peng 3 , Ruo-Qi Wang 1 , Jun-Feng Xie 2 , Ya-Pan Wu 1 , Dong-Sheng Li 1
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-08-20 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.0c02049 Shuang Li 1 , Feng-Cai Lei 2 , Xu Peng 3 , Ruo-Qi Wang 1 , Jun-Feng Xie 2 , Ya-Pan Wu 1 , Dong-Sheng Li 1
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Tungsten ditelluride (WTe2) is provoking immense interest because of its unique electronic properties, but studies about its semiconducting hexagonal (2H) phase are quite rare. Herein, we report the synthesis of semiconducting 2H WTe2 nanosheets with large positive magnetoresistance, for the first time, by a simple lithium-intercalation-assisted exfoliation strategy. Systematic characterizations including high-resolution transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and Raman and X-ray photoelectron spectroscopies provide clear evidence to distinguish the structure of 2H WTe2 nanosheets from the orthorhombic (Td) phase bulk counterpart. The corresponding electronic phase transition from metal to semiconductor is also confirmed by density of states calculation, optical absorption, and electrical transport property measurements. Besides, the 2H WTe2 nanosheets exhibit large positive magnetoresistance with values of up to 29.5% (10 K) and 16.2% (300 K) at 9 T. Overall, these findings open up a promising avenue into the exploration of WTe2-based materials in the semiconductor field.
中文翻译：
具有大正磁阻的半导体2H相WTe2纳米片的合成。
二碲化钨（WTe 2）由于其独特的电子特性而引起了极大的兴趣，但是关于其半导电六角形（2H）相的研究却很少。在这里，我们首次报道了通过简单的锂嵌入辅助剥离策略合成具有大正磁阻的半导体2H WTe 2纳米片。系统表征包括高分辨率透射电子显微镜，X射线衍射以及拉曼和X射线光电子能谱学，为区分2H WTe 2的结构提供了清晰的证据。正交相（Td）相本体的纳米片。还通过状态密度计算，光吸收和电传输性质测量来确认从金属到半导体的相应电子相变。此外，2H WTe 2纳米片在9 T时表现出较大的正磁阻值，分别高达29.5％（10 K）和16.2％（300 K）。总体而言，这些发现为探索基于WTe 2的材料开辟了广阔的前景半导体领域的材料。
更新日期：2020-09-08
中文翻译：
具有大正磁阻的半导体2H相WTe2纳米片的合成。
二碲化钨（WTe 2）由于其独特的电子特性而引起了极大的兴趣，但是关于其半导电六角形（2H）相的研究却很少。在这里，我们首次报道了通过简单的锂嵌入辅助剥离策略合成具有大正磁阻的半导体2H WTe 2纳米片。系统表征包括高分辨率透射电子显微镜，X射线衍射以及拉曼和X射线光电子能谱学，为区分2H WTe 2的结构提供了清晰的证据。正交相（Td）相本体的纳米片。还通过状态密度计算，光吸收和电传输性质测量来确认从金属到半导体的相应电子相变。此外，2H WTe 2纳米片在9 T时表现出较大的正磁阻值，分别高达29.5％（10 K）和16.2％（300 K）。总体而言，这些发现为探索基于WTe 2的材料开辟了广阔的前景半导体领域的材料。
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