MAPbI3准单晶膜，由大尺寸晶粒与深边界融合组成，用于敏感的Vis-NIR光电探测器。,ACS Applied Materials & Interfaces

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MAPbI3准单晶膜，由大尺寸晶粒与深边界融合组成，用于敏感的Vis-NIR光电探测器。
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-08-05 , DOI: 10.1021/acsami.0c08674
Tao Wang ₁ , Gang Lian ₁ , Liping Huang ₁ , Fei Zhu ₁ , Deliang Cui ₁ , Qilong Wang ₂ , Qingbo Meng ₃ , Ching-Ping Wong ₄

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钙钛矿单晶（SC）或准单晶（QSC）膜是光电器件优异性能的有希望的候选物。然而，制造具有适当厚度的大面积连续SC或QSC膜仍然是巨大的挑战。本文中，我们提出了一种压力辅助高温溶剂工程师（PTS）策略，以生长具有均匀厚度和取向的大面积连续MAPbI ₃ QSC膜。其中实现了明显的晶粒长大（横向尺寸约为100μm）和充分的边界融合，从而极大地消除了晶粒边界。因此，陷阱密度的显着缩小（Ñ_陷阱：7.43×10 ¹¹厘米^-3）确定一个长载流子寿命（τ ₂：1.7μs）和基于MAPbI ₃的横向光电探测器的卓越光电性能；例如，开/关比的超高（> 2.4×10 ⁶，2 V），非常稳定，响应速度快（μs的306分之283）和高探测灵敏度（1.41×10 ¹³）来实现的。QSC薄膜的结合性能和性能超过了大多数报道的MAPbI ₃。这种生长钙钛矿QSC薄膜的有效方法为具有优异性能的基于钙钛矿的光电器件提供了一种新颖的方法。

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更新日期：2020-08-26

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