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单层MoS2与Au界面空位缺陷的第一性原理研究
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2020-8-4 , DOI: 10.1039/d0ra04833j Xiaoqian Qiu 1 , Yiren Wang 1 , Yong Jiang 1, 2
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MoS 2基器件的性能与沉积在金属上的单层MoS 2的质量和缺陷形貌密切相关。进行第一性原理计算以研究 Au-mMoS 2接触的空位效应。我们的计算中考虑了四种可能的 S 空位和 Mo 空位。能量研究表明，在Au-mMoS 2接触中，S空位比Mo空位更容易形成，而S空位（界面空位，V S4 ）在富Mo环境下具有最低的形成能。有缺陷的Au-mMoS 2接触的电子和电荷重新分布分析表明，有缺陷的Au-MoS 2接触比完美接触具有更低的接触电阻和更高的电子注入效率。值得注意的是，接触中单层MoS 2顶层的S空位表现出比底层更好的电子性能。因此，通过缺陷工程可以期望获得高质量的 n 型 Au-mMoS 2接触。
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