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电子不同芳族取代基对V型有机半导体分子组装和空穴传输的影响
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2020-07-21 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c04088 Craig P. Yu 1 , Masato Mitani 1 , Hiroyuki Ishii 2 , Masakazu Yamagishi 3 , Hiroki Kitamura 4 , Masafumi Yano 4 , Jun Takeya 1, 5, 6 , Toshihiro Okamoto 1, 5, 7
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2020-07-21 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c04088 Craig P. Yu 1 , Masato Mitani 1 , Hiroyuki Ishii 2 , Masakazu Yamagishi 3 , Hiroki Kitamura 4 , Masafumi Yano 4 , Jun Takeya 1, 5, 6 , Toshihiro Okamoto 1, 5, 7
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弯曲形的p型有机半导体(OSC)在实际的电子应用中显示出高的空穴载流子迁移率和热耐久性,其中,V形的thieno [3,2- f:4,5- f '] bis [ 1]苯并噻吩(TBBT–V)π电子核显示出出色的空穴传输电子特性,并且稠合的末端噻吩单元允许用各种取代基轻松取代,以微调OSC特性。本文中,我们研究了被三个电子上不同的芳香族取代基(苯基,噻吩基和噻唑基)官能化的TBBT-V对它们的分子组装和电荷传输能力的影响。苯基取代的TBBT-V(Ph-TBBT-V)形成人字形堆积图案,并计算出有效的分子间轨道重叠和二维样电荷传输。另一方面,估计噻吩基和噻唑基取代的TBBT-V的电荷传输能力较差。结果,Ph-TBBT-V具有最佳的估计电荷传输能力,在高达6.5 cm 2 V –1 s –1的范围内表现出出色的空气稳定空穴迁移率,而其他两个导数则显示出较低的迁移率,这与我们的理论估计非常吻合。
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更新日期:2020-08-14
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