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III–V半导体棒状纳米天线的二次谐波发射方向性工程
Laser & Photonics Reviews ( IF 9.8 ) Pub Date : 2020-07-20 , DOI: 10.1002/lpor.202000028 Grégoire Saerens 1 , Iek Tang 1 , Mihail I. Petrov 2 , Kristina Frizyuk 2 , Claude Renaut 1 , Flavia Timpu 1 , Marc Reig Escalé 1 , Igor Shtrom 3 , Alexey Bouravleuv 4 , George Cirlin 4 , Rachel Grange 1 , Maria Timofeeva 1
Laser & Photonics Reviews ( IF 9.8 ) Pub Date : 2020-07-20 , DOI: 10.1002/lpor.202000028 Grégoire Saerens 1 , Iek Tang 1 , Mihail I. Petrov 2 , Kristina Frizyuk 2 , Claude Renaut 1 , Flavia Timpu 1 , Marc Reig Escalé 1 , Igor Shtrom 3 , Alexey Bouravleuv 4 , George Cirlin 4 , Rachel Grange 1 , Maria Timofeeva 1
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设计来自纳米结构的非线性光发射的能力是为集成设备创建高效且紧凑的组件的关键挑战。本文展示了一种通过工程几何学和杆状纳米天线的位置来控制和操纵二次谐波产生发射的方向性的方法。通过聚焦离子束铣削将III–V半导体纳米线切成薄片,可以制成单和二聚体纳米天线。通过调整纳米天线的长度和位置来调整纳米天线的非线性光学响应,以实现目标相位差。与自上而下制造的纳米结构的典型块状锌共混物结构相比,所研究的GaAs纳米天线具有纤锌矿结构,可以实现更好的二次谐波发射方向。纤锌矿纳米天线在二次谐波波长下提供纯电偶极子响应,并与发射光的π相位控制一起用于设计非线性发射方向图。仿真结果显示了如何将二次谐波光束重定向到30°,以及如何通过添加元素来调整发射轮廓。这种二次谐波产生操纵和相阵列工程方法可以应用于不同类型的纳米线和纳米结构。具有纳米线结构的非线性光束转向将促进集成电路紧凑光学元件的创建。仿真结果显示了如何将二次谐波光束重定向到30°,以及如何通过添加元素来调整发射轮廓。这种二次谐波产生操纵和相阵列工程方法可以应用于不同类型的纳米线和纳米结构。具有纳米线结构的非线性光束转向将促进集成电路紧凑光学元件的创建。仿真结果显示了如何将二次谐波光束重定向到30°,以及如何通过添加元素来调整发射轮廓。这种二次谐波产生操纵和相阵列工程方法可以应用于不同类型的纳米线和纳米结构。具有纳米线结构的非线性光束转向将促进集成电路紧凑光学元件的创建。
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更新日期:2020-09-10
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