Ag掺杂的As2S3和Ag2S3的结构畸变和能带结构,Physica Status Solidi (B) - Basic Solid State Physics

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Ag掺杂的As2S3和Ag2S3的结构畸变和能带结构
Physica Status Solidi (B) - Basic Solid State Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 2020-07-13 , DOI: 10.1002/pssb.202000185
Veerpal Kaur ₁ , Surya Kant Tripathi ₁ , Satya Prakash ₁

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SIESTA代码中包含的具有交换相关势的广义梯度近似（GGA）的密度泛函理论（DFT）用于研究Ag _x As _{2- x} S ₃（x = 0-2）的结构畸变和能带。由于静电和应变场相互作用的不对称变化，晶格参数和晶胞体积随着Ag浓度的增加而不对称地变化。As ₂ S ₃，Ag ₁ As ₁ S ₃和Ag ₂ S ₃的最佳晶格几何形状是单斜的，而对于其他配置，则变为三斜的。不像的Ag ₂小号₃，分层未在Ag的结构中发现₂小号₃。迁移率间隙随着Ag浓度的增加而减小，然后增大。对于配置Ag ₁ As ₁ S ₃，迁移率间隙的最小值为0.04 eV 。d轨道电子的部分态密度（PDOS）随着Ag浓度的增加而显着提高，并且s，p和d轨道电子的PDOS结构变化表明，p – d弱而强分别在价带和导带中杂交。迁移率间隙的减小表明，如实验观察到的，掺Ag的As ₂ S ₃比As ₂ S ₃更具导电性。

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更新日期：2020-07-13

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