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与HfO 2和SiO 2的界面上TiN有效功函数调整的机理
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2020-06-16 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c03605 Elena O. Filatova 1 , Aleksei S. Konashuk 1 , Sergei S. Sakhonenkov 1 , Aidar U. Gaisin 1 , Nadiia M. Kolomiiets 2 , Valeri V. Afanas’ev 2 , Harold F. W. Dekkers 3
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2020-06-16 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c03605 Elena O. Filatova 1 , Aleksei S. Konashuk 1 , Sergei S. Sakhonenkov 1 , Aidar U. Gaisin 1 , Nadiia M. Kolomiiets 2 , Valeri V. Afanas’ev 2 , Harold F. W. Dekkers 3
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通过结合电学测量和内部光发射界面势垒表征，沉积在氧化物绝缘体（SiO 2，HfO 2）上的纳米薄膜TiN层的有效功函数（EWF）变化）与通过光电子能谱和X射线吸收表征的金属/氧化物界面的原子和化学组成有关。EWF调节的主要机制显示出与轻质N和O原子的重新分布有关。通过在界面处形成Ti氮氧化物层并在近界面氧化物层中引入电荷陷阱，从下面的氧化物中清除氧气会改变TiN EWF。相比之下，通过在TiN薄膜顶部引入一层薄的TiAl吸气层，可以实现EWF的显着降低（≈1eV）。这种还原的机理可以追溯到由TiAl清除氮引起的金属Ti形成，如AlN形成所证明的。
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更新日期：2020-07-16
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