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无弓形独立式 GaN 晶圆
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2020-6-8 , DOI: 10.1039/d0ra01024c Jae-Hyoung Shim 1 , Jin-Seong Park 1 , Jea-Gun Park 1
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2020-6-8 , DOI: 10.1039/d0ra01024c Jae-Hyoung Shim 1 , Jin-Seong Park 1 , Jea-Gun Park 1
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对于作为高亮度发光二极管的应用，直径为 2 英寸、厚度约为 185 μm 的无弓形独立式氮化镓 (GaN) 晶片是通过工艺设计通过氢化物蒸汽生长的凹坑和镜面 GaN 层制造的。相外延、激光剥离、凹坑 GaN 层的 N 面抛光以及镜面 GaN 层的三步抛光，使用 3.0 μm、0.5 μm 和 50 nm 直径的金刚石磨料并通过电感耦合-等离子体反应离子蚀刻。GaN晶片相当大的凹面形状可以通过在抛光过程的第一步控制Ga面镜层的去除量来减小，接近无弓形或随着进一步抛光而改变；这与抛光后的 GaN 晶片的残余应力密切相关。
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更新日期：2020-06-08
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