当前位置：
X-MOL 学术
›
ACS Appl. Mater. Interfaces
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
基于多晶ZnO的电阻开关器件中Ag导电丝的TEM纳米结构研究。
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-06-08 , DOI: 10.1021/acsami.0c05038 Katarzyna Bejtka 1 , Gianluca Milano 1, 2 , Carlo Ricciardi 2 , Candido F Pirri 1, 2 , Samuele Porro 2
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-06-08 , DOI: 10.1021/acsami.0c05038 Katarzyna Bejtka 1 , Gianluca Milano 1, 2 , Carlo Ricciardi 2 , Candido F Pirri 1, 2 , Samuele Porro 2
Affiliation
|
尽管尚未充分理解开关机制的许多细节，但基于电阻开关机制的忆阻器件被认为非常适合非易失性存储器和非常规计算应用。在这里，我们通过Ag / ZnO / Pt忆阻器件的高分辨率透射电子显微镜和光谱技术报告了纳米结构研究。为了简化细丝位置的定位以对其进行表征，我们建议利用通过FIB技术获得的规则扰动阵列的引导作用来协助细丝形成。HRTEM和EDX用于确定如此获得的导电丝及其周围区域的组成和晶体结构。已确定导电路径主要由单晶Ag组成，在某些情况下，它仍然是多晶的，包括发生切换的区域以及在多晶ZnO基体的晶界处形成的次级长丝处。我们还观察到，ZnO基体在开关区的质量下降，而在其余的忆阻器件中则保持不变。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2020-07-01
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号