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使用三甲基铝从时间分辨化学气相沉积中减少氮化铝中的碳杂质
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2020-06-05 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c01724 Polla Rouf 1 , Pitsiri Sukkaew 1 , Lars Ojamäe 1 , Henrik Pedersen 1
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2020-06-05 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c01724 Polla Rouf 1 , Pitsiri Sukkaew 1 , Lars Ojamäe 1 , Henrik Pedersen 1
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氮化铝（AlN）是一种半导体，具有从发光二极管到高频晶体管的广泛应用。电子级AlN通常使用三甲基铝（TMA）和NH 3通过化学气相沉积（CVD）在1000°C进行沉积，而通往高质量AlN的低温CVD途径却很少，并且膜中的碳杂质含量高。我们报告了一种具有时间分辨的前驱体供应的原子层沉积式CVD方法，其中通过在TMA和NH之间添加额外的脉冲H 2，N 2或Ar抑制了AlN表面甲基的再吸收3脉冲。抑制的再吸收允许沉积碳含量为1 at。2的AlN膜。480°C下为％。动力学和量子化学建模表明，TMA脉冲后，TMA和NH 3之间的额外脉冲阻止了终止于AlN表面的脱附甲基的再吸收。
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更新日期：2020-07-02
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