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在 28 nm PMOSFET 的嵌入式 SiGe 源极/漏极形成之前，通过在 Sigma 形沟槽中进行全面硼注入来提高性能
IEEE Electron Device Letters ( IF 4.1 ) Pub Date : 2020-04-07 , DOI: 10.1109/led.2020.2985740
Zhong-Hua Li , Run-Ling Li , Yu-Long Jiang , Yan-Wei Zhang , Yong-Feng Cao , Xue-Jiao Wang
这封信中提出了在 28 nm PMOSFET 形成嵌入式 SiGe (eSiGe) 源极/漏极 (S/D) 之前，在西格玛形沟槽中进行全面硼注入 (BBI)。结果表明，BBI 可以显着降低 S/D 结电容，且对 On/Off 特性影响很小。此外，1/f噪声也得到有效降低。
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