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SiC 单层和双层的气敏特性：密度泛函理论研究。
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2020-05-20 , DOI: 10.1021/acsomega.0c01084 Zijia Zhao 1 , Yongliang Yong 1 , Qingxiao Zhou 1 , Yanmin Kuang 2 , Xiaohong Li 1
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2020-05-20 , DOI: 10.1021/acsomega.0c01084 Zijia Zhao 1 , Yongliang Yong 1 , Qingxiao Zhou 1 , Yanmin Kuang 2 , Xiaohong Li 1
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利用密度泛函理论计算，气态分子（NO、NO 2、NH 3、SO 2、CO、HCN、O 2、H 2、N 2、CO 2和H 2 O）在石墨SiC单层上的吸附和已对双层进行了研究，以探索气体传感器用于 NO、NO 2和 NH 3检测的可能性。SiC单层对NO 2和SO 2的强烈吸附阻碍了其在氮化物气体传感器中的应用。氮化物气体（NO、NO 2和NH 3）被化学吸附在SiC双层上，具有中等吸附能和表观电荷转移，而其他分子都是物理吸附。此外，双层结构可以有效减弱NO 2和SO 2分子的吸附强度，即NO 2分子在SiC双层上仅发生弱化学吸附，E ads为-0.62 eV，而SO 2分子在双层上发生物理吸附。这些结果表明SiC双层可以作为气体传感器来检测NO、NO 2和NH 3气体，具有优异的性能（高灵敏度、高选择性和快速恢复时间）。此外，与其他分子吸附相比，NH 3分子的吸附显着改变了SiC单层和双层的功函数，表明它们可以用作NH 3检测的光学气体传感器。
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更新日期：2020-05-20
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