摘要 对于 CZTSe 薄膜的形成，硒化时间和温度在材料合成中起着至关重要的作用，反过来又会极大地影响薄膜的性能。在这项工作中，Cu、Zn、Sn 和 Se 依次热沉积在 Mo 涂层的钠钙玻璃 (SLG) 基板上。为了形成 Cu2ZnSnSe4（CZTSe）沉积膜，在硒（Se）气氛中分两步退火（第一步 230°C 10 分钟，第二步 450°C 5 分钟-30 分钟，间隔 5 分钟） . 研究了硒化时间对 CZTSe 薄膜的结构、表面形貌、成分、光学和电学性能的影响。从 XRD 和拉曼光谱观察到 CZTSe 相的形成。观察到随着硒化时间的增加，存在于薄膜中的 CuSe 二元相逐渐受到抑制。随着第二步硒化保持时间的增加，薄膜的晶粒尺寸、导电性和迁移率增加，而带隙减小。硒化时间改善了适用于太阳能电池应用的薄膜的性能。研究表明，最佳硒化时间对于获得优质 CZTSe 薄膜至关重要。该器件已用于样品 M6，获得的最佳器件的转换效率为 3.97%



"点击查看英文标题和摘要"