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半导体中负 U 缺陷的表征
Journal of Physics: Condensed Matter ( IF 2.3 ) Pub Date : 2020-05-13 , DOI: 10.1088/1361-648x/ab8091 José Coutinho 1 , Vladimir P Markevich 2 , Anthony R Peaker 2
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本综述旨在回顾性地描述半导体负U缺陷的理论和实验表征的最新技术和未来前景。这是通过对工作描述进行补充来完成的，这些工作产生了一些最详细、但更复杂的半导体缺陷模型。介绍了负 U 行为的基本物理原理，包括电子关联、电子声子耦合、歧化、缺陷跃迁水平和速率。还介绍了实验数据分析和建模技术，即缺陷统计、载流子捕获和发射动力学、缺陷变换、构型坐标图等工具。最后，我们展示了几项工作，这些工作导致了 IV 族和化合物半导体中一些最具影响力的负 U 缺陷的识别。
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