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通过采用双空穴注入层增强 LARP 合成的 CsPbBr3 纳米晶体 LED 的性能
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2020-05-06 , DOI: 10.1039/d0ra02622k Dingyan Xu 1 , Qun Wan 2 , Siyao Wu 1 , Yu Zhao 1 , Xinglei Xu 1 , Liang Li 2 , Gufeng He 1
RSC Advances ( IF 3.9 ) Pub Date : 2020-05-06 , DOI: 10.1039/d0ra02622k Dingyan Xu 1 , Qun Wan 2 , Siyao Wu 1 , Yu Zhao 1 , Xinglei Xu 1 , Liang Li 2 , Gufeng He 1
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卤化铅钙钛矿由于其优异的性能而被认为是光电应用领域有前途的材料。通过配体辅助再沉淀 (LARP) 合成了具有窄粒径分布和窄发射光谱的CsPbBr 3纳米晶体 (NC)，这是一种低成本且简便的工艺。在倒置 CsPbBr 3 NC LED 中，引入了1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六甲腈 (HAT-CN)/MoO 3的双空穴注入层 (HIL)以增强空穴注入和传输，因为 HAT -CN可以很容易地从空穴传输层中提取电子并在那里留下大量空穴。具有双 HIL 的优化器件的电流效率和功率效率比单 HIL 器件高 1.5 倍和 1.8 倍。据信，双HAT-CN/MoO 3 HIL可有效促进空穴注入，并有望在许多其他器件中得到应用。
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更新日期：2020-05-06
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