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Structural Phase Transition of Multilayer VSe2.
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-04-29 , DOI: 10.1021/acsami.0c04449 Dian Li 1 , Xiong Wang 1 , Chi-Ming Kan 1 , Daliang He 2 , Zejun Li 3 , Qing Hao 4 , Hongbo Zhao 5 , Changzheng Wu 3 , Chuanhong Jin 2 , Xiaodong Cui 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-04-29 , DOI: 10.1021/acsami.0c04449 Dian Li 1 , Xiong Wang 1 , Chi-Ming Kan 1 , Daliang He 2 , Zejun Li 3 , Qing Hao 4 , Hongbo Zhao 5 , Changzheng Wu 3 , Chuanhong Jin 2 , Xiaodong Cui 1
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Vanadium diselenide (VSe2), a member of the transition metal dichalcogenides (TMDs) family, is emerging as a promising two-dimensional (2D) candidate for the electronic and spintronic device with exotic properties including charge/spin density wave and ferromagnetism. The bulk crystal VSe2 exists in a crystallographic form of 1T-phase with metallic behavior. In this paper, we report a structural phase transition of multilayer VSe2 from 1T to 2H through annealing at 650 K, accompanying a metal–insulator transition. We observe that the 2H-phase is more thermodynamically favorable than the 1T-phase at 2D.
中文翻译：
多层VSe2的结构相变。
硒化钒钒（VSe 2）是过渡金属二卤化钴（TMDs）家族的一员，正逐渐成为电子和自旋电子器件的有希望的二维（2D）候选材料，具有奇特的特性，包括电荷/自旋密度波和铁磁性。大块晶体VSe 2以具有金属行为的1T相的晶体学形式存在。在本文中，我们报告了在650 K退火下多层VSe 2从1T到2H的结构相变，以及金属-绝缘体的转变。我们注意到， 2H -PHASE更热力学有利的比1T -PHASE在2D。
更新日期：2020-04-29
中文翻译：
多层VSe2的结构相变。
硒化钒钒（VSe 2）是过渡金属二卤化钴（TMDs）家族的一员，正逐渐成为电子和自旋电子器件的有希望的二维（2D）候选材料，具有奇特的特性，包括电荷/自旋密度波和铁磁性。大块晶体VSe 2以具有金属行为的1T相的晶体学形式存在。在本文中，我们报告了在650 K退火下多层VSe 2从1T到2H的结构相变，以及金属-绝缘体的转变。我们注意到， 2H -PHASE更热力学有利的比1T -PHASE在2D。
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