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硅上氮化物的共晶形成、V/III 比和受控极性反转
Physica Status Solidi (B) - Basic Solid State Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 2019-11-19 , DOI: 10.1002/pssb.201900611 Alexana Roshko 1 , Matt D Brubaker 1 , Paul T Blanchard 1 , Todd E Harvey 1 , Kris A Bertness 1
Physica Status Solidi (B) - Basic Solid State Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 2019-11-19 , DOI: 10.1002/pssb.201900611 Alexana Roshko 1 , Matt D Brubaker 1 , Paul T Blanchard 1 , Todd E Harvey 1 , Kris A Bertness 1
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通过等离子体辅助分子束外延在 Si(111) 上生长的 AlN 的晶体极性在平面边界处有意从 N 极性反转为 Al 极性。反转边界的位置由两步生长过程控制，该过程从富铝生长条件突然转变为富氮生长条件。极性反转是由 Si 的存在引起的，Si 是从 Al-Si 共晶层中掺入的，该共晶层在 AlN 生长的初始阶段形成，并在富铝生长条件下漂浮在 AlN 表面上。当生长条件变为富氮时，共晶中的 Al 和 Si 与额外的 N 熔剂发生反应，并结合到固体 AlN 薄膜中。相对较低水平的铝硅共晶形成与硅掺入的横向变化相结合，导致极性反转的不均匀性，并形成令人惊讶的窄垂直反转域。结果表明，有意掺入均匀的硅层可以提供一种生产极性工程氮化物结构的方法。
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更新日期：2020-04-18
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