随着极紫外 （EUV） 光刻技术进入大批量制造 （HVM） 以实现 7nm 以下的扩展路线图，在晶圆级打印的缺陷的表征和监控对于良率至关重要。对于来自 EUV 掩模的缺陷（由于多层缺陷或添加的颗粒或掩模上的生长）以及来自图案形成过程本身的缺陷（称为随机印刷缺陷或简称为随机缺陷）尤其如此。在本文中，我们专注于开发随机缺陷的检测解决方案，随机缺陷本质上是结构之间发生的随机局部变化，原则上应该以相同的方式打印。这些缺陷在当前最先进的工艺中以很高的频率发生。具体来说，我们讨论了使用 KLA 宽带等离子体 （BBP） 光学检测系统检测这些缺陷的重要性，以及有用的分析方法的开发。此外，我们还描述了在这些光学检测系统上开发的传统聚焦剂量工艺窗口发现方法的使用，用于具有混合 EUV 和直接 EUV 图形方案的代工 N5 等效 M2 层。我们重点介绍了 EUV 随机指标对整个过程窗口的影响。



"点击查看英文标题和摘要"