摘要 我们报告了通过射频磁控管制备掺硼二氧化硅薄膜（也称为硼硅玻璃或 BSG）及其作为硼扩散源的用途，特别是用于浅结。为此，通过常规的固态反应途径制备了 BSG 溅射靶。研究了不同溅射参数下溅射沉积BSG薄膜的沉积速率。在扩散步骤之后，通过硅晶片上的热探针和薄层电阻技术证实了沉积膜中硼的存在。使用傅立叶变换红外光谱 (FTIR) 对 BSG 薄膜进行结构评估。二次离子质谱 (SIMS) 用于测量 BSG 膜中硼的浓度分布。还研究了溅射参数对沉积的 BSG 膜中硼浓度的影响。使用 BSG 薄膜作为硼的扩散源制造 p-n 结二极管。对于不同的溅射和扩散参数，测量结深在 0.06-1.0 µm 的范围内。



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