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扫描莫尔条纹法：一种用于感知2D材料中的缺陷，界面和变形的高级方法。
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2020-04-23 , DOI: 10.1021/acsnano.0c01729 Yung-Chang Lin,Hyun Goo Ji,Li-Jen Chang,Yao-Pang Chang,Zheng Liu,Gun-Do Lee,Po-Wen Chiu,Hiroki Ago,Kazu Suenaga
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2020-04-23 , DOI: 10.1021/acsnano.0c01729 Yung-Chang Lin,Hyun Goo Ji,Li-Jen Chang,Yao-Pang Chang,Zheng Liu,Gun-Do Lee,Po-Wen Chiu,Hiroki Ago,Kazu Suenaga
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扫描莫尔条纹（SMF）是一种广泛用于精确测量半导体晶体管和异质界面中的应变场的技术。随着传统芯片缩放的挑战不断增加，二维（2D）材料已成为整合到半导体器件中的理想选择。因此，在2D材料中有效定位缺陷和晶界的方法至关重要。在这里，我们演示了使用SMF方法在亚微米视场下以亚埃空间分辨率在近乎一致的界面处定位域边界的演示。小角度晶界和横向异质结的应变场可通过快速SMF方法即时找到并精确确定，而无需任何原子分辨率图像。
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更新日期：2020-04-23
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