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分子束外延生长硫族化物薄膜中的局部应变测量的拉曼光谱。
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2020-03-31 , DOI: 10.1021/acsomega.0c00224 Qiu Li 1, 2 , Yong Wang 3 , Tiantian Li 2 , Wei Li 3 , Feifan Wang 2, 4 , Anderson Janotti 3 , Stephanie Law 3 , Tingyi Gu 2
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2020-03-31 , DOI: 10.1021/acsomega.0c00224 Qiu Li 1, 2 , Yong Wang 3 , Tiantian Li 2 , Wei Li 3 , Feifan Wang 2, 4 , Anderson Janotti 3 , Stephanie Law 3 , Tingyi Gu 2
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我们开发了一种实验计量学，用于通过微拉曼光谱法测量分子束外延（MBE）生长的晶体硫属化物薄膜中的局部应变。对于c面蓝宝石衬底上的In2Se3和Bi2Se3，横向光学振动模式（A1声子）对应变最敏感。我们首先通过在柔性基板中引入应变来校准每种材料中的声子频率-应变关系。对于In2Se3 A1（LO + TO）模式，拉曼位移应变系数为-1.97 cm-1 /％，对于Bi2Se3 A1g 2模式为-1.68 cm-1 /％。In2Se3和Bi2Se3样品分别表现出压缩应变和拉伸应变。这些观察结果与样品和基材之间相对的相对热膨胀系数的预测相符。我们还绘制了成图MBE样本边缘附近的应变地图。在In2Se3中，应变随着膜厚度的增加而累积，而在较厚的Bi2Se3膜中观察到较低的应变。
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更新日期：2020-04-14
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