IrBiSe中具有3D手性自旋纹理的巨型散装Dresselhaus分裂,Physica Status Solidi-Rapid Research Letters

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IrBiSe中具有3D手性自旋纹理的巨型散装Dresselhaus分裂
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters ( IF 2.5 ) Pub Date : 2020-02-12 , DOI: 10.1002/pssr.201900684
Zhonghao Liu _{1,

2} , Setti Thirupathaiah _{1,

3} , Alexander N. Yaresko ₄ , Satya Kushwaha ₅ , Quinn Gibson ₅ , Wei Xia ₆ , Yanfeng Guo ₆ , Dawei Shen ₂ , Robert J. Cava ₅ , Sergey V. Borisenko ₁

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自旋电子学应用需要具有巨大自旋分裂的材料。然而，通常会因杂散磁场，畴壁，短自旋相干时间，在磁性原子或磁性活性界面上的散射以及伴随磁性的其他特性而妨碍由具有一个自旋方向的半金属制造自旋电子器件的过程。拓扑绝缘体或Dirac / Weyl半金属的表面可以作为替代方案，但是在费米能量下不存在体态的情况下生产高质量薄膜仍然非常困难。在这里，通过利用角度分辨光发射光谱学，发现了非磁性IrBiSe中体态的创纪录的Dresselhaus自旋轨道分裂。能带结构计算表明，分裂带已被3D手性自旋纹理完全自旋极化。轻掺杂的IrBiSe作为自旋极化电子的来源，有望产生电场控制的自旋极化电流，没有反向散射，并且可能具有三重态和Fulde-Ferrel-Larkin-Ovchinnikov（FFLO）超导性。

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更新日期：2020-02-12

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