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探索对 MoS2 激子性质和电子能带结构的量子限制效应
Applied Surface Science ( IF 6.3 ) Pub Date : 2020-07-01 , DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146262
Xudan Zhu , Dahai Li , Rongjun Zhang , Hao Zhang , Chunxiao Cong , Meiping Zhu , Yuejie Shi , Yu Wu , Songyou Wang , Yuxiang Zheng , Liangyao Chen

摘要 我们通过光谱椭偏仪系统地研究了量子限制对厘米级 MoS2 薄膜(层数:N = 1、2、4 和 18)的激子性质和电子能带结构的影响。包括光导率、激子结合能和临界点 (CP) 在内的光学特性被追踪为层数的函数。我们发现与多层 MoS2 中的值相比,A 和 B 激子在单层 MoS2 中具有最大的结合能,因为前者没有层间耦合。尽管如此,即使层数发生变化,A 和 B 激子的峰值位置几乎相同。这是因为抵消了准粒子带隙和激子结合能之间的差异。此外,计算八个CP的阈值能量;使用这些值,可以确定 CP 的价带和导带排列。值得注意的是,当层数超过四层时,MoS2 的电子能带结构变得稳定,这可以归因于在这些情况下大大减弱的量子限制效应。我们的研究结果帮助我们更好地了解量子限制对使用 MoS2 薄膜的光电和光伏应用的影响。



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更新日期:2020-07-01
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