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通过空气中的表面电荷转移掺杂 MoTe2。
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-04-02 , DOI: 10.1021/acsami.0c04339 Gheorghe Stan 1 , Cristian V Ciobanu 2 , Sri Ranga Jai Likith 2 , Asha Rani 1, 3 , Siyuan Zhang 4, 5 , Christina A Hacker 4 , Sergiy Krylyuk 1, 5 , Albert V Davydov 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-04-02 , DOI: 10.1021/acsami.0c04339 Gheorghe Stan 1 , Cristian V Ciobanu 2 , Sri Ranga Jai Likith 2 , Asha Rani 1, 3 , Siyuan Zhang 4, 5 , Christina A Hacker 4 , Sergiy Krylyuk 1, 5 , Albert V Davydov 1
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掺杂是一个关键过程，通过它可以调节多数载流子的浓度和类型以实现所需的导电性能。常见的掺杂方式是通过块状杂质进行掺杂，就像硅的情况一样。对于范德华键合半导体，对块状杂质的控制还没有得到很好的发展，因为它们可能在层之间迁移或与表面或界面键合，成为载流子不希望的散射中心。在此，我们通过开尔文探针力显微镜（KPFM）和密度泛函理论计算（DFT）研究了MoTe 2通过空气中发生的表面电荷转移的掺杂。使用 DFT，我们表明氧分子物理吸附在表面上并增加其功函数（与原始表面相比）朝向p型行为，这与我们的 KPFM 测量结果一致。通过整个样品的热退火，可以轻松控制或逆转由吸附氧分子驱动的表面电荷转移掺杂（SCTD）。此外，我们还展示了通过接触起电对掺杂进行局部控制。作为一种可逆可控的纳米级物理吸附过程，SCTD 可以为新兴的二维电子领域开辟新的途径。
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更新日期：2020-04-03
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