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化学浴沉积生长的硫铜(CuS)纳米晶体的结构特性
Optik Pub Date : 2020-03-10 , DOI: 10.1016/j.ijleo.2020.164518
M. Chávez Portillo , R. Viveros Gutiérrez , M.A. Mora Ramírez , V. Carranza Téllez , H. Juárez Santiesteban , A. Cortez Santiago , M. Pacio Castillo , O. Portillo Moreno

在本文中,我们介绍了使用化学浴沉积技术和随后在空气中于1000°C进行热处理而合成硫化铜(CuS)纳米晶体的初步结果。晶体生长是在20°C和90°C的两个不同反应温度下系统进行的。通过应用扫描电子显微镜(SEM),傅立叶变换红外光谱(FTIR),X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)和差示扫描量热法(DSC)的技术研究粉末。SEM图像显示了表面有结晶团块的形貌,能量分散光谱(EDX)光谱显示了Cu,S和O元素。这些材料显示出与晶体生长温度相关的表面形态差异,以及温度热处理对织构,晶粒尺寸和晶界的影响。XRD可以识别CuS20和CuS90样品中的六方相,以及向CuS的过渡(s) →CuO (s)。20°C和90°C的晶粒尺寸分别约为3.7-5.7 nm和14.2-35.2 nm。FTIR分析显示用CØ32--和OH -位于范围~1000-2000厘米离子-1其通过硫脲水解而产生。这些带随着热处理而减小直至完全消失。DSC图显示了与CuS (s) →CuO (s)的结构转变有关的变化。这种结构行为与CuS和CuO的热稳定性能有关。





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更新日期:2020-03-10
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