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Si(-220)/6H-SiC(0001)界面的第一性原理研究
Solid State Communications ( IF 2.1 ) Pub Date : 2014-01-01 , DOI: 10.1016/j.ssc.2013.09.018
Shengjia Fan , Zhiming Chen , Xiaomin He , Lianbi Li
Solid State Communications ( IF 2.1 ) Pub Date : 2014-01-01 , DOI: 10.1016/j.ssc.2013.09.018
Shengjia Fan , Zhiming Chen , Xiaomin He , Lianbi Li
摘要 HRTEM 证实了在 Si(-220)/6H-SiC(0001) 界面具有低晶格失配的周期性结构。对应于观察到的界面结构，基于密度泛函理论的第一性原理计算被用来理解表面态的键合机制。结果表明，Si 与 C 封端 6H-SiC 表面的结合比与 Si 封端表面的结合更稳定，但由于 C-2p 和 Si-3p 态在与 C-终止可能会在随后的外延硅膜中引入高密度的结构缺陷。同时，C端6H-SiC表面界面的弛豫能大于Si端表面。
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更新日期：2014-01-01
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