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单层 MoS2 的电子结构
Solid State Communications ( IF 2.1 ) Pub Date : 2012-05-01 , DOI: 10.1016/j.ssc.2012.02.005 Eugene S. Kadantsev , Pawel Hawrylak
Solid State Communications ( IF 2.1 ) Pub Date : 2012-05-01 , DOI: 10.1016/j.ssc.2012.02.005 Eugene S. Kadantsev , Pawel Hawrylak
摘要 利用基于 Kohn Sham 密度泛函理论和自旋轨道耦合变分处理的所有电子第一性原理计算研究了单个 MoS2 单层的电子结构。在整个布里渊区探索了价带最大值和导带最小值的拓扑结构。单层 MoS2 被证实是直接带隙半导体。计算单个单层的投影状态密度 (PDOS) 并与块状 MoS2 进行比较。确定了布里渊区高对称点处的带边的有效质量和轨道特征。在整个布里渊区计算导带最小值 (CBMIN) 和价带最大值 (VBMAX) 的自旋分裂。
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更新日期：2012-05-01
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