摘要 比较了多元素合金薄膜的定量分析方法。Si 1-x Ge x 合金膜的原子分数是通过深度剖面分析用二次离子质谱法（SIMS）和X射线光电子能谱法（XPS）测量的。强度到成分转换因子 (ICF) 用作将强度转换为成分的平均值，而不是相对灵敏度因子。通过常规方法、平均强度(AI)方法和总数计数(TNC)方法从参考Si 1-x Ge x 合金膜确定ICF。在 SIMS 的情况下，虽然由于严重的基质效应，氧离子束测量的原子分数不是定量的，但铯离子束测量的结果非常定量。SIMS 使用MCs 2 + 离子的定量分析结果与XPS 的结果相当。在 XPS 的情况下，AI 方法和 TNC 方法大大改善了测量不确定度。



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