摘要 研究了氮化硼 (BCN) 薄膜的光学性能。BCN 因其低介电常数而成为超大规模集成 (VLSI) 中介电层 (IDL) 的一致选择。光学特性可以根据元素组成进行调整，这使得 BCN 成为紫外线过滤器和镜子中的一种有前景的材料。薄膜是通过碳化硼 (B 4 C) 和氮化硼 (BN) 的反应性共溅射沉积的，分别通过 DC 和 RF 溅射使用不同的 N 2 /Ar 气体流量比。进行 XPS 研究以推断 BCN 薄膜的键合和化学性质。光学带隙 (Eg) 研究是根据目标功率、气体比率和沉积温度的变化进行的。发现Eg 随N 2 /Ar 流量比和沉积温度而增加。在 20 W DC 下沉积的 BCN 表现出更高的带隙范围，在 N 2 /Ar = 0.75 时达到的最高值为 3.7 eV。对于沉积膜，在 N 2 /Ar = 0.25 时达到的最低值是 1.9 eV。



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