摘要 随着电子工业需求的不断增长，薄膜材料越来越受到研究人员的关注。这种需求不仅源于低成本的制备方法，还源于可调节的室温介电和磁性能。研究了 V 掺杂的 ZnO 薄膜在室温下的介电和磁性能。分别使用阻抗分析仪和振动样品磁强计。用于介电和磁测量。通过改变0、1、3、5、7、9at的掺杂百分比预先制备薄膜。钒的重量百分比，使用浸涂溶胶-凝胶路线。这些薄膜表现出正常的介电常数行为。随着 V 掺杂增加到 9 at，介电常数增加到 35.64（在 1MHz）。重量百分比在 ZnO 中。损耗角正切减小到 0。00182（在 1MHz）和交流电导率随着频率的增加而增加到 2.46x10-9 Sm/m（在 1MHz）。由于高晶界电阻，cole-cole 图呈现出一个半圆弧。V掺杂的ZnO薄膜表现出室温顺磁性到铁磁性转变。饱和磁化强度随着钒含量的增加而增加，达到最大值50.56 emu/cm3。



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