摘要 由于文献中的信息有限，通过 C 1s X 射线光电子 (XPS) 光谱的解卷积来量化非晶氮掺杂碳中表面含氮和含氧官能团的含量仍然很困难。为了改进对氮掺杂碳的 XPS 光谱的解释，已经通过 DFT 计算了各种氮化碳结构的 C 1s、N 1s 和 O 1s 核心能级能量位移。此外，我们提出了一种基于七峰 C 1s 解卷积（3 个 C-C 峰、3 个 C-N/-O 峰和 π-π∗ 跃迁峰）的扩展方法来提高 XPS 解释的自洽性. 通过 DFT 计算，可以将表面缺陷碳产生的光谱成分与芳香 sp2 碳区分开来。所提出的解卷积方法提供的 C/(N + O) 比率与从总 C 1s、N 1s 和 O 1s 峰中获得的比率非常一致（误差小于 5%）。我们的去卷积策略提供了一个简单的指导方针，用于在仔细评估实验条件和结果的基础上获得高质量的实验数据拟合。



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