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用于强电场测量的集成光学传感器的开发和应用
Sensors ( IF 3.4 ) Pub Date : 2012-08-21 , DOI: 10.3390/s120811406
Rong Zeng , Bo Wang , Ben Niu , Zhanqing Yu
Sensors ( IF 3.4 ) Pub Date : 2012-08-21 , DOI: 10.3390/s120811406
Rong Zeng , Bo Wang , Ben Niu , Zhanqing Yu
在各个研究领域，对强电场的测量是基本需求。集成的光学电场传感器（IOES）具有重要的优势，并且可能适用于密集的电场检测。本文全面回顾了过去30年中几种类型的IOES的开发和应用，包括Mach-Zehnder干涉仪（MZI），耦合器干涉仪（CI）和共径干涉仪（CPI）。比较了不同类型的IOES的特性，表明MZI具有更高的灵敏度，CI具有可控的光学偏置，而CPI具有更好的温度稳定性。更具体地说，说明了将IOES应用于强电场测量的改进工作。最后，展示了IOES在强电场测量中的典型用途，
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更新日期：2012-08-21
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