摘要 本研究提出了一种基于高分辨率透射电子显微镜 (HR-TEM) 晶格图像的应变测量数字旋转莫尔 (DRM) 方法。TEM 晶格图像用于生成参考和样本光栅。所提出的 DRM 方法所涉及的程序基于旋转莫尔条纹原理和数字莫尔条纹算法，通过量化图像参数来检测面内应变分量，包括样品和参考光栅之间相对旋转角度的平均值以及数字莫尔条纹中的条纹倾角。获得的应变是分析区域中的晶格相对于参考区域中的晶格的应变。对（110）单晶硅的晶格图像进行了一系列虚拟实验，并验证了所提方法的准确性。随后，该方法成功地用于测量多层半导体异质结构的局部应变。将结果与微拉曼光谱得到的结果进行分析和比较，表明基于晶格图像的DRM方法普遍适用于分析三个面内应变分量的详细信息，空间分辨率可达十纳米尺度。 .



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