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碳化硅上石墨烯的液相生长
Carbon ( IF 10.5 ) Pub Date : 2012-11-01 , DOI: 10.1016/j.carbon.2012.06.047
Hidefumi Hiura , Michael V. Lee , Anastasia V. Tyurnina , Kazuhito Tsukagoshi
Carbon ( IF 10.5 ) Pub Date : 2012-11-01 , DOI: 10.1016/j.carbon.2012.06.047
Hidefumi Hiura , Michael V. Lee , Anastasia V. Tyurnina , Kazuhito Tsukagoshi
摘要 我们开发了一种在低至 1000 °C 的温度下在碳化硅 (SiC) 上生产石墨烯的新方法。该方法基于由液态镓介导的石墨烯液相生长 (LPG)，它不仅作为助熔剂在加热时储存从 SiC 表面溶解的碳，而且作为催化剂促进石墨烯在 SiC 上的形成冷却时。我们的实验结果表明，镓处理过的 SiC 衬底涂有均匀且连续的石墨烯薄膜。LPG 方法能够提供由一层到数百层组成的石墨烯薄膜，具体取决于加热温度。我们的方法不仅可以提供一种在 SiC 上原生形成石墨烯的替代方法，而且还将为石墨烯的工业应用带来技术突破，例如
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更新日期：2012-11-01
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