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Resistive Switching in Nonperovskite-Phase CsPbI3 Film-Based Memory Devices.
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-02-17 , DOI: 10.1021/acsami.9b17680 Jia Xu 1 , Yanhong Wu 1 , Zhenzhen Li 1 , Xiaolong Liu 1 , Guozhong Cao 2 , Jianxi Yao 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-02-17 , DOI: 10.1021/acsami.9b17680 Jia Xu 1 , Yanhong Wu 1 , Zhenzhen Li 1 , Xiaolong Liu 1 , Guozhong Cao 2 , Jianxi Yao 1
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Because of their attractive photoelectrical properties, perovskite-phase, CsPbX3 (X = I, Br, or Cl) materials have recently gained attention for their applications in resistive switching (RS) memories. However, phase transition of the CsPbI3 from perovskite (cubic phase) to nonperovskite (orthorhombic phase) at room temperature is problematic; it remains a challenge to apply nonperovskite CsPbI3 in RS memories. In the present work, a polymethylmethacrylate (PMMA)-assisted deposition method for nonperovskite CsPbI3 is introduced to fabricate a composite film of CsPbI3 with PMMA (PMMA@CsPbI3) with a smooth surface morphology on fluorine-doped tin oxide (FTO) substrates. Devices with a Ag/PMMA@CsPbI3/FTO architecture show nonvolatile RS characteristics with an ON/OFF ratio around 102, endurance over 500 cycles, and a retention time of 103 s. Analyses suggested that a Schottky barrier at the Ag/PMMA@CsPbI3 interface and a bias-induced migration of Ag ions within the composite films are responsible for the RS operation. This is the first record for RS devices based on nonperovskite CsPbI3, and it may bring the future research on nonperovskite CsPbI3 applied in RS memory devices some new inspiration..
中文翻译：
非钙钛矿相CsPbI3薄膜存储设备中的电阻切换。
由于钙钛矿相CsPbX3（X = I，Br或Cl）材料具有吸引人的光电性能，最近由于其在电阻开关（RS）存储器中的应用而受到关注。然而，在室温下CsPbI 3从钙钛矿（立方相）到非钙钛矿（斜方晶相）的相变是有问题的；在RS存储器中应用非钙钛矿CsPbI3仍然是一个挑战。在目前的工作中，引入了一种用于非钙钛矿型CsPbI3的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助沉积方法，以在氟掺杂氧化锡（FTO）基板上制备具有光滑表面形态的PMMA（PMMA @ CsPbI3）复合膜。具有Ag / PMMA @ CsPbI3 / FTO架构的设备具有非易失性RS特性，其开/关比约为102，在500个周期内具有持久性，并且保留时间为103 s。分析表明，在Ag / PMMA @ CsPbI3界面处的肖特基势垒和复合膜内Ag离子的偏压诱导迁移是RS操作的原因。这是基于非钙钛矿CsPbI3的RS器件的第一条记录，这可能会为将来应用于RS存储设备的非钙钛矿CsPbI3的研究带来新的启示。
更新日期：2020-02-17
中文翻译：
非钙钛矿相CsPbI3薄膜存储设备中的电阻切换。
由于钙钛矿相CsPbX3（X = I，Br或Cl）材料具有吸引人的光电性能，最近由于其在电阻开关（RS）存储器中的应用而受到关注。然而，在室温下CsPbI 3从钙钛矿（立方相）到非钙钛矿（斜方晶相）的相变是有问题的；在RS存储器中应用非钙钛矿CsPbI3仍然是一个挑战。在目前的工作中，引入了一种用于非钙钛矿型CsPbI3的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助沉积方法，以在氟掺杂氧化锡（FTO）基板上制备具有光滑表面形态的PMMA（PMMA @ CsPbI3）复合膜。具有Ag / PMMA @ CsPbI3 / FTO架构的设备具有非易失性RS特性，其开/关比约为102，在500个周期内具有持久性，并且保留时间为103 s。分析表明，在Ag / PMMA @ CsPbI3界面处的肖特基势垒和复合膜内Ag离子的偏压诱导迁移是RS操作的原因。这是基于非钙钛矿CsPbI3的RS器件的第一条记录，这可能会为将来应用于RS存储设备的非钙钛矿CsPbI3的研究带来新的启示。
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