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成分渐变的AlGaN纳米结构：应变分布和X射线衍射互易空间映射
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2020-02-11 , DOI: 10.1021/acs.cgd.9b01273 H. Stanchu 1, 2 , M. Auf der Maur 3 , A. V. Kuchuk 2 , Yu. I. Mazur 2 , M. Sobanska 4 , Z. R. Zytkiewicz 4 , S. Wu 1 , Z. Wang 1 , G. Salamo 2
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2020-02-11 , DOI: 10.1021/acs.cgd.9b01273 H. Stanchu 1, 2 , M. Auf der Maur 3 , A. V. Kuchuk 2 , Yu. I. Mazur 2 , M. Sobanska 4 , Z. R. Zytkiewicz 4 , S. Wu 1 , Z. Wang 1 , G. Salamo 2
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通过基于数值有限元方法（FEM）和X射线衍射互易空间映射的三维（3D）应变计算，研究了成分梯度AlGaN平面结构，柱和纳米线（NWs）中的应变分布。首先，对相互空间图（RSM）进行了新的拟合分析，以评估应变和Al浓度的深度分布，膜厚度以及成分梯度AlGaN平面异质结构中的螺纹位错密度。对于在GaN（0001）衬底上外延生长的梯度AlGaN薄膜，在计算和实验RSM之间获得了良好的相关性。其次，通过对3D应变分布进行FEM仿真，我们确定了不同直径和不同衬底上组成梯度的AlGaN纳米结构的表面体积比对应变松弛效果的影响。结果表明，随着从NW到支柱的表面体积比的增加，应变衰减更快。Si（111）衬底上直径为40 nm的AlGaN NW几乎完全松弛，这意味着NWs侧面的应变很强，并且NW /衬底界面对应变分布的影响很小。最后，研究了AlGaN纳米结构中应变不均匀性对相互空间中X射线散射强度分布的影响。Si（111）衬底上直径为40 nm的AlGaN NW几乎完全松弛，这意味着NWs侧面的应变很强，并且NW /衬底界面对应变分布的影响很小。最后，研究了AlGaN纳米结构中应变不均匀性对相互空间中X射线散射强度分布的影响。Si（111）衬底上直径为40 nm的AlGaN NW几乎完全松弛，这意味着NWs侧面的应变很强，并且NW /衬底界面对应变分布的影响很小。最后，研究了AlGaN纳米结构中应变不均匀性对相互空间中X射线散射强度分布的影响。
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更新日期：2020-02-12
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