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微波等离子体预处理SiH4气体对热CVD硅膜形成行为的影响
Plasma Processes and Polymers ( IF 2.9 ) Pub Date : 2020-01-27 , DOI: 10.1002/ppap.201900198
Keiichi Hamanaka 1 , Norihisa Takei 1 , Hiroaki Kakiuchi 1 , Kiyoshi Yasutake 1, 2 , Hiromasa Ohmi 1, 2
Plasma Processes and Polymers ( IF 2.9 ) Pub Date : 2020-01-27 , DOI: 10.1002/ppap.201900198
Keiichi Hamanaka 1 , Norihisa Takei 1 , Hiroaki Kakiuchi 1 , Kiyoshi Yasutake 1, 2 , Hiromasa Ohmi 1, 2
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我们提出了一种通过高密度等离子体对甲硅烷（SiH 4）气体进行预处理的方法，该方法是通过热化学气相沉积（TCVD）在较低温度下形成结晶硅膜（≤600°C）。通过气相傅立叶变换红外光谱研究了SiH 4与等离子体的反应行为。研究了Si 2 H 6形成特性对总气体流量和输入微波功率的依赖性。等离子体处理的SiH 4气体的Si 2 H 6气体产率随着输入微波功率的降低而增加，并随着总气体流速的增加而增加。使用等离子处理的SiH通过TCVD制备Si膜4气。结果，高密度等离子体对SiH 4气体的预处理不仅影响沉积速率，而且影响所得Si膜的结晶度。讨论了通过等离子体处理改善硅膜形成的机理。
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更新日期：2020-01-27
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