摘要 碳化铪纳米线 (HfCnw) 通过催化剂辅助化学气相沉积法在 2.5 D 针刺碳毡中原位生长。随后，通过化学气相渗透将碳毡致密化以获得 HfCnw 增强的碳/碳（HfCnw-C/C）复合材料。首次研究了HfCnw对C/C复合材料电导率、电磁屏蔽性能和抗氧化性的影响。结果表明，在 8.2-12.4 GHz 的整个频率范围内，含有 1.75 wt% HfCnw 的 C/C 复合材料的 SET 超过 40 dB，这意味着超过 99.99% 的入射光束被屏蔽。此外，发现复合材料的总屏蔽效能的相对大小关系（SET(S-2h) > SET(S-3h) > SET(S-0h)）与电导（σ S-2h > σ S-3h > σ S-0h)，说明电导可以有效预测SET的相对幅度。此外，基于氧化曲线的分析表明，即使使用少量 HfCnw，HfCnw 也能显着提高复合材料的抗氧化性。HfCnw-C/C 复合材料的高电磁干扰 (EMI) 屏蔽效率加上相对较低的密度和良好的抗氧化性，使其成为未来 EMI 屏蔽应用的轻质高性能结构功能集成材料的显着潜力。基于氧化曲线的分析表明，即使使用少量 HfCnw，HfCnw 也能显着提高复合材料的抗氧化性。HfCnw-C/C 复合材料的高电磁干扰 (EMI) 屏蔽效率加上相对较低的密度和良好的抗氧化性，使其成为未来 EMI 屏蔽应用的轻质高性能结构功能集成材料的显着潜力。基于氧化曲线的分析表明，即使使用少量 HfCnw，HfCnw 也能显着提高复合材料的抗氧化性。HfCnw-C/C 复合材料的高电磁干扰 (EMI) 屏蔽效率加上相对较低的密度和良好的抗氧化性，使其成为未来 EMI 屏蔽应用的轻质高性能结构功能集成材料的显着潜力。



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