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阐明CuO / TiO2中Cu(I)活性位点的性质,以实现出色的低温CO氧化。
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2020-01-14 , DOI: 10.1021/acsami.9b18264
Yarong Fang 1 , Xiao Chi 2 , Li Li 1 , Ji Yang 1 , Shoujie Liu 1 , Xingxu Lu 3 , Wen Xiao 4 , Liming Wang 5 , Zhu Luo 1 , Weiwei Yang 1 , Siyu Hu 1 , Juxia Xiong 1 , Son Hoang 1 , Hongtao Deng 1 , Fudong Liu 6 , Lizhi Zhang 1 , Puxian Gao 3 , Jun Ding 4 , Yanbing Guo 1
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稳定的Cu +物质已被广泛认为是复合铜催化剂中的催化活性位点,具有重要的工业催化作用。然而,很少有实例能全面说明稳定的Cu +在低成本和广泛研究的CuO / TiO2系统中的起源。在本研究中,制备了具有界面稳定的Cu +的可大量生产的CuO / TiO2催化剂,该催化剂具有出色的低温CO氧化活性。彻底的表征和理论计算证明,在TiO掺杂的CuO(111)中,在CuO / TiO2界面上的强电荷转移效应和Ti-O-Cu杂化有助于Cu +物种的形成和稳定。CO分子吸附在Cu +上,并通过Mars-van Krevelen机理与Ti掺杂促进的活性晶格氧直接反应,



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更新日期:2020-02-03
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