摘要 利用密度泛函理论 (DFT)，利用镧系元素原子的大小核赝势，阐明了磁性半导体 RbLnSe2（Ln = Ce、Pr、Nd 和 Gd）的结构、磁性、电子和弹性特性。使用自旋极化计算研究磁排序，并预测铁磁配置的更高稳定性。发现 4f-Ln 态的分裂驱动了这些材料的铁磁特性，并且总磁矩和部分磁矩随着能带隙的增加而增加。发现 RbLnSe2 化合物是在两个自旋方向上具有两个自旋带隙通道（Eg1 和 Eg2）的半导体。RbNdSe2 和 RbGdSe2 的带隙表明它们在光响应应用中可能有用。



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